Inginerii Samsung au atins recent o etapă foarte importantă, conform ET News, deoarece compania sud-coreeană a reușit să finalizeze primul cip de memorie cu 900 straturi, ceea ce reprezintă un pas important înainte din mai multe puncte de vedere. Aceastp cantitate de celule stivuite este o premieră în industrie, deoarece liderul curent, SK hynix, a reușit să producă cipuri cu doar 321 straturi.
Compania sud-coreeană și-a stabilit anterior obiectivul de a oferi cipuri cu 1.000 straturi active până în 2030, ceea ce poate părea un plan ambițios la început, dar zvonul curent o face probabilă. Desigur, cele 900 straturi nu sunt obținute în cadrul unui cip monolitic, tehnologia nu este destul de dezvoltată ca să fie posibil. În schimb, folosesc Hybrid-Bonding, inclusiv procesul Cell Multi-Bonding (CMB), care permite suprapunerea a două cipuri, fiecare cu 450 straturi.
Plăcile individuale de siliciu pot fi "lipite" între ele prin intermediul contactelor metalice integrate, care creează, o legătură permanentă între cele două, însă implementarea tehnică este departe de a fi simplă. Plachetele de siliciu sunt predispuse la deformare, a trebuit dezvoltată o metodă care contracarează acest aspect. Pentru a realiza acest lucru, au fost dezvoltate cleme microscopice care le țin în poziție paralelă pentru împerechere, și pentru a avea timp să se îmbine permanent.
Aceste "cleme" sunt încă un secret industrial dar probabil tehnologia Coulumbic E-Chuck sau Johnsen-Rahbek E-Chuck ar putea fi în spatele lor. Dar inginerii au făcut modificări și la nivelul componentelor interne NAND, cum ar fi o nouă arhitectură de bit și wordline, pentru a menține dimensiunea cipurilor la un nivel rezonabil, dar și pentru a ține sub control consumul de energie.
Din păcate nu sunt informații în legătură cu produse concrete create cu ele, dar sperăm că vor apărea în curând informații oficiale despre ele. Între timp, compania este în curs de creștere a producției de cipuri de generația 10, dar se confruntă și cu dificultăți cu angajații predispuși la grevă majoră.
