Nodul de generație următoare al TSMC, A14, se încadrează în clasa de 1,4 nm și avansează într-un ritm destul de alert spre producția de masă. A14 se află acum în producție experimentală. Clienții interesați de noul nod pot astfel afla cum se vor comporta cipurile dezvoltate de ei pe această tehnologie de fabricație și pot pregăti modificările necesare înainte de începerea producției de masă. Totodată TSMC poate optimiza diferiții parametri ai noii tehnologii, așa că randamentul, performanța și eficiența energetică pot atinge valorile țintă. În unele cazuri, în funcție de designul cipului, le pot chiar depăși.
În cazul A14 este interesant că la nodurile de până acum nu s-a reușit scalarea celulelor SRAM, în ciuda îmbunătățirilor. A14 aduce în sfârșit un progres important aici, de care era mare nevoie. Mărimea celulelor SRAM este aproape neschimbată de circa 6 ani: de la introducerea nodurilor din clasa de 5 nm, o celulă SRAM 6T ocupă 0,021 µm². La elementele logice, în schimb, s-a făcut un progres semnificativ.
Odată cu introducerea nodului A14 în 2028, se încheie o stagnare de 8 ani, pentru că celulele SRAM 6T vor deveni mult mai mici: în loc de 0,021 µm² actuali, o astfel de componentă va ocupa 0,017 µm², ceea ce înseamnă o îmbunătățire de aproape 20%. Progresul poate fi folosit în mai multe feluri. Pe aceeași suprafață de cip încape o capacitate SRAM mai mare, sau aceeași capacitate SRAM ocupă mai puțin loc și economisește astfel tranzistori valoroși pentru celelalte componente.
Dacă totul merge în ritmul actual și nu apare nici o problemă neașteptată, producția de risc poate începe încă din 2027, cu un randament corespunzător. Dacă și aici se reușește un avans mai rapid față de calendarul inițial, producția de masă pe nodul A14 poate porni în 2028, cu câteva luni mai devreme decât s-a planificat.
A14 aduce un progres important față de nodul N2 din clasa de 2 nm. La același consum și aceeași complexitate poate oferi o performanță cu până la 15% mai mare, iar la aceeași complexitate și frecvență poate reduce consumul cu până la 30%. Densitatea celulelor SRAM poate crește cu aproape 20%, iar cea a componentelor logice cu exact 20%. Este un pas important, pentru că la memorie scalarea nu a avansat până acum atât de mult ca la componentele logice. Tehnologia de fabricație A14 va fi folosită mai întâi în Taiwan, la sediul TSMC, unde ar putea porni și producția de masă, dar abia pe la sfârșitul lui 2028.
