CXMT, cel mai mare și de succes producător de DRAM din China, a atins o etapă importantă, potrivit surselor din industrie citate de The Information, ceea ce va ajuta China să sufere sub sancțiuni – cu condiția ca totul să decurgă conform planurilor. Conform informațiilor disponibile, CXMT ar fi început recent producția experimentală a modulelor de memorie „sandwich” standardul HBM3E, ceea ce nu pare prea impresionant în lumina faptului că HBM4E va fi lansat în curând, dar considerând că nu demult nu dispuneau de nici o tehnologie tangentă, este un aspect extrem de important.
În contextul menționat mai sus, întârzierea de aproximativ două generații nu este tragică, mai ales dacă compania va demara producția la fel de rapid cum a făcut-o anterior în cazul altor tehnologii de memorie. Din păcate nu s-au primit informații despre parametrii exacți ai modulelor, dar pe baza liniilor directoare ale standardului JEDEC, se pot intui unele lucruri. Se utilizează un bus de memorie de 1024 biți, iar prin intermediul contactelor fiecărui chip se pot atinge viteze cuprinse între 9,2 și 12,4 Gbps – opțiunea tipică fiind de 9,6 Gbps.
Aceste „sandvișuri” pot fi alcătuite din 8 sau 12 cipuri, adică pot avea o configurație 8-Hi sau 12-Hi, oferind o capacitate de 24 sau 36 GB, iar în ceea ce privește lățimea de bandă, pot atinge o performanță de 1,2 TB/s per cip. Primele soluții CXMT se vor situa probabil în partea inferioară a specificației HBM3E, însă producția lor în serie ar putea începe relativ repede, iar optimizarea agresivă le vor face mult mai bune în timp scurt. Deocamdată nu există informații despre evoluția ratei de randament, dar fiind vorba de teste experimentale, nu reprezintă un detaliu prea important.
Compania însăși se extinde destul de agresiv pe piață, contrar practicii obișnuite din Occident, fiind capabilă să construiască camere sterile pentru producția de semiconductori în doar 12 luni, jumate decât norma, și să le populeze relativ rapid. În prezent compania dispune de două fabrici mari care produc plăci de siliciu de 12 inci, acestea putând începe producția a 200 000 discuri de siliciu pe lună. Conform planurilor anterioare, până la sfârșitul acestui an capacitatea de producție lunară va fi crescută la 350 000 waferi, ceea ce le-ar permite să atingă și chiar să depășească nivelul atins de Micron. Pe termen lung doresc să construiască o rețea de fabrici capabilă să producă 600 000 waferi de siliciu pe lună, ceea ce ar fi o realizare destul de extremă.
Extinderea este necesară mai ales din cauza tehnologiilor HBM care înghite cipurile de memorie multiplicativ, în concordanță cu câte straturi va avea cipul HBM vizat. Acest lucru înseamnă că piața de consum nu va avea neapărat acces la ele, iar CMXT ar putea trece la o practică de lăcomie ca restul producătorilor, însă cu capacitate mult mai mare.
Lansarea producției experimentale a HBM3E are o importanță enormă, deoarece, dacă se va reuși fabricarea acestor „sandvișuri” optim le pot folosi atât pentru scopuri interne, chiar și militare, dar și pentru export.
