În urmă cu câțiva ani, profesorul Manus Hayne de la Universitatea Lancaster a dezvoltat o tehnologie de stocare a datelor foarte promițătoare, pe care a numit-o simplu UltraRAM. Dezvoltarea este unică, deoarece aduce performanța, durabilitatea, și eficiența energetică a tehnologiei actuale de memorii DRAM, păstrează datele pe care le conține chiar și atunci când alimentarea cu energie electrică este întreruptă, ceea ce o face similară cu memoria NAND Flash. Însă noua dezvoltare este de cel puțin 4 000 de ori mai durabilă decât cipurile de memorie NAND Flash și poate stoca date în mod fiabil timp de până la 1 000 de ani.
Între timp, dezvoltarea a fost preluată de un start-up, Quinas Technology, a cărui echipă își propune să aducă UltraRAM în producția de masă, cu dezvoltaree ulterioară. Până atunci va trece mai mult timp, și necesită un capital semnificativ. Startup-ul a primit deja ajutor în acest domeniu în mai multe rânduri, cel mai recent fiind o sumă de la Innovate UK, agenția națională pentru inovare a guvernului britanic, care a acordat startup-ului 1,1 milioane de lire sterline, adică 1,43 milioane dolari americani.
Proprietățile unice ale dispozitivelor construite pe baza tehnologiei de memorie UltraRAM se datorează unei soluții speciale: memoria exploatează potențialul efectului de Quantum Resonance Tunneling, care este deja cunoscut de la diverse dispozitive fotonice, cum ar fi LED-urile, diodele laser și senzorii în infraroșu. UltraRAM în sine este un dispozitiv specializat cu o arhitectură complexă formată din mai multe straturi: GaSB, InAS și AISb, care sunt stivuite prin metoda MBE (Molecular Beam Epitaxy). Această metodă nu a fost încă utilizată pentru fabricarea soluțiilor de memorie, cel puțin nu în centrele universitare de cercetare.
Obiectivul principal al următorului proiect de un an, va fi creșterea dimensiunii matricei de siliciu UltraRAM de la 75 milimetri în prezent la 150 milimetri. Plăcuțele de siliciu de 75 de milimetri sunt fabricate în prezent de cercetătorii de la Universitatea Lancaster, iar plăcuțele de 150 milimetri vor fi fabricate prin amabilitatea IQE, compania care deține Quinas Technology. Noua tehnologie de fabricație nu se mai bazează pe epitaxia moleculară (MBE) menționată anterior, ci pe tehnologia MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition), care poate fi utilizată pentru producția de volume mai mari, spre deosebire de MBE, utilizată mai ales în mediul academic.
Cea mai mare parte a finanțării va fi utilizată pentru a permite fabricarea straturilor de semiconductori dezvoltate de cercetătorii de la Universitatea Lancaster în cadrul unor procese industriale scalabile la unitatea din Cardiff a companiei. Procesul va fi susținut de experți ai Universității Lancaster care, cu ajutorul MBE, vor pregăti terenul pentru dezvoltarea procesului industrial, după care echipa IQE va începe să producă plachetele la scară mai mare. Controlul calității și testarea caracteristicilor materialului finit vor fi efectuate de Universitatea Lancaster.
Cercetătorii de la Universitatea Lancaster lucrează în prezent pentru a reduce dimensiunea dispozitivelor UltraRAM individuale și pentru a crea rețele mai mari. Scopul lucrării este de a demonstra că UltraRAM poate găzdui o matrice de siliciu cu un diametru complet de 200 de milimetri, deși această dimensiune nu este încă suficientă pentru a face tehnologia competitivă cu cipurile 3D NAND Flash și DRAM disponibile pe piață, dar este suficientă pentru a demonstra viabilitatea conceptului.
