Samsung va prezenta luna viitoare cele mai recente cipuri de memorie V-NAND Flash 3D V-NAND din a 9-a generație, care ar putea reprezenta un pas important față de soluțiile actuale gen.8. Generația 8 folosea doar 236 de straturi de celule active pentru a stoca date, cea de-a 9-a generație va ridica ștacheta până la o distanță de aproape 300 de straturi. Acest lucru ar putea contribui la creșterea capacității de stocare a datelor a unităților și cardurilor SSD, cât și la creșterea randamentului biților, ceea ce ar putea duce în cele din urmă, la o producție mai fiabilă.

Datorită îmbunătățirilor structurale și tehnologice, noile cipuri 3D V-NAND Flash oferă utilizatorilor și datelor, 290 de straturi de celule active, contribuind la creșterea densității. Hankyung din sudul Coreei nu a oferit încă niciun detaliu cu privire la caracteristicile exacte ale noilor cipuri de memorie, dar pare sigur că acestea vor fi prezentate oficial în luna Mai. 

În fundal, se desfășoară deja dezvoltarea succesorului celei de-a 9-a generații, despre care se zvonește că va fi gata de lansare la începutul anului 2025. Acestea vor crește și mai mult numărul de straturi de celule active, ajungând la 430, ceea ce reprezintă un pas mare. În comparație, gen. 9 are doar 54 de straturi în plus față de gen.8.

Dacă ritmul de dezvoltare va decurge conform planului, industria ar putea produce cipuri cu până la 1000 de straturi până în 2030, deși există încă multe provocări care trebuie depășite. Între timp, piața NAND Flash se scumpește din cauza reducerilor de producție.